BJT vs SCR
Nii BJT (Bipolar Junction Transistor) kui ka SCR (Silicon Controlled Rectifier) on pooljuhtseadmed, millel on vahelduvad P- ja N-tüüpi pooljuhtkihid. Neid kasutatakse paljudes lülitusrakendustes paljudel põhjustel, nagu tõhusus, madal hind ja väiksus. Mõlemad on kolm terminalseadet ja pakuvad väikese juhtvooluga voolu hea juhtimisvahemiku. Mõlemal seadmel on rakendusest sõltuvad eelised.
Bipolaarne ristmiktransistor (BJT)
BJT on teatud tüüpi transistor ja see koosneb kahest PN-siirdest (p-tüüpi pooljuhi ja n-tüüpi pooljuhi ühendamise teel). Need kaks ristmikku moodustatakse kolme pooljuhttüki ühendamisel P-N-P või N-P-N järjekorras. Seal on kahte tüüpi BJT-d, mida nimetatakse PNP ja NPN.
Nende kolme pooljuhtosaga on ühendatud kolm elektroodi ja keskmist juhet nimetatakse "aluseks". Teised kaks ristmikku on "emitter" ja "kollektor".
BJT puhul juhitakse suure kollektori emitteri (Ic) voolu väikese baasemitteri vooluga (IB) ja see omadus on kasutatakse võimendite või lülitite kujundamiseks. Seal võib seda pidada voolu juhitavaks seadmeks. BJT-d kasutatakse enamasti võimendiahelates.
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
SCR on türistori tüüp ja seda kasutatakse laialdaselt praegustes alaldusrakendustes. SCR on valmistatud neljast vahelduvast pooljuhtkihist (P-N-P-N kujul) ja koosneb seetõttu kolmest PN-siirdest. Analüüsis peetakse seda tihed alt seotud BJT-de paariks (üks PNP ja teine NPN-i konfiguratsioonis). P- ja N-tüüpi pooljuhtide välimisi kihte nimetatakse vastav alt anoodiks ja katoodiks. Sisemise P-tüüpi pooljuhtkihiga ühendatud elektrood on tuntud kui "värav".
Töö ajal toimib SCR juhtiv alt, kui väravale antakse impulss. See töötab kas "sees" või "väljas" olekus. Kui värav käivitatakse impulsiga, läheb SCR olekusse "sees" ja jätkab juhtimist, kuni pärivoolu vool on väiksem kui "hoidmisvoolu" läviväärtus.
SCR on toiteseade ja enamasti kasutatakse seda rakendustes, kus on tegemist suure voolu ja pingega. Enimkasutatav SCR-rakendus on vahelduvvoolu juhtimine (alaldamine).
Lühid alt:
Erinevus BJT ja SCR vahel
1. BJT-l on ainult kolm pooljuhtkihti, SCR-il aga neli kihti.
2. BJT kolme klemmi nimetatakse emitteriks, kollektoriks ja baasiks, samas kui SCR-il on terminalid, mida tuntakse anood-, katood- ja väravana
3. SCR-i peetakse analüüsis tihed alt seotud transistoride paariks.
